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产品通用筛选
Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMN6012U
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 50
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4005SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 96
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4005SF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.1
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6008GYS8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 9.3
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 14.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 13
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 17
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10080GRD
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 16
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 85
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10080GRU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 16
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 85
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN15006PGLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 150
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10008GCF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 87
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.3
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM180N10AGB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 228
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM175N10GLB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 175
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4005SP
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 1.3
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN1001R6GLLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM2N7002DL
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 0.3
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1900
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2200
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
-
加入对比
-
- CMN4005SB
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 1.3
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD41437TS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 8.6
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 19
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD41437TS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) -40
- VGS(V) ±20
- ID(A) -5.2
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 36
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 44
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD637S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -3.9
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 78
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD637S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 6.3
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 37
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 170
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6004GLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 146
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
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