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    • CM175N10GB
    • CM175N10GB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 175
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CMN10012GS8
    • CMN10012GS8
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 12.3
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15.6
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM80N10GF5
    • CM80N10GF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 96
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4002F5
    • CMN4002F5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 145
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.2
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6036S8D
    • CMN6036S8D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 5.5
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 35
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 42
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 50
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM180N10GP
    • CM180N10GP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 203
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM60N10AGP
    • CM60N10AGP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 77
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMBSS84
    • CMBSS84
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single 
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -0.17
    • VGS(th) Min -0.9
    • VGS(th) Max -2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3300
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8000
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3500
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10000
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4007GF3
    • CMN4007GF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 49
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4007GF5
    • CMN4007GF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 84
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP60130D
    • CMP60130D
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P P
    • VDSS(V) -60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -11
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 163
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 196
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 240
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP60130U
    • CMP60130U
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P P
    • VDSS(V) -60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -11
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 163
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 196
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 240
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP100160U
    • CMP100160U
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -0
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 180
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 215
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 245
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP1080GF5
    • CMP1080GF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5X6
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -15
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 85
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN1008LGXF5
    • CMN1008LGXF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 58
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN1003GXP
    • CMN1003GXP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 172
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10020GT3
    • CMN10020GT3
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-223
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 6.9
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 22
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 26.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN9006GXP
    • CMN9006GXP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 90
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 105
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN7006GXP
    • CMN7006GXP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 70
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 109
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6002HGP
    • CMN6002HGP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 133
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.7
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