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产品通用筛选
Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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清空筛选
- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CM175N10GB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 175
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN10012GS8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 12.3
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM80N10GF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 96
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4002F5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 145
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6036S8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 5.5
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 35
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 42
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM180N10GP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 203
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM60N10AGP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 77
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMBSS84
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -0.17
- VGS(th) Min -0.9
- VGS(th) Max -2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3300
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3500
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10000
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN4007GF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 49
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4007GF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 84
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP60130D
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 163
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 196
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 240
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP60130U
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 163
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 196
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 240
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP100160U
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -0
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 180
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 215
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 245
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP1080GF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5X6
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -15
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN1008LGXF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 58
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN1003GXP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 172
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10020GT3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-223
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 6.9
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 22
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 26.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN9006GXP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 90
- VGS(V) ±20
- ID(A) 105
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN7006GXP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 70
- VGS(V) ±20
- ID(A) 109
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6002HGP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 133
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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