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    • CM20P10GP
    • CM20P10GP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -20
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 85
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 137
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CM170N10GP
    • CM170N10GP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220C
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 211
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CM60N10AGB
    • CM60N10AGB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 77
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM60N10GF5
    • CM60N10GF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) +20/-16
    • ID(A) 64
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.2
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8.7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14.3
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM60N10AGF5
    • CM60N10AGF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 60
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9.9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2326
    • CM2326
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 2.6
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 110
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 140
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 160
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 300
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6002GP
    • CMN6002GP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 170
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM80N06GU
    • CM80N06GU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 70
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.8
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6009F5
    • CMN6009F5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 41.5
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6006S8
    • CMN6006S8
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 18.6
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.3
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM12N06GS8
    • CM12N06GS8
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 12.8
    • VGS(th) Min 1.2
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8.2
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6009S8
    • CMN6009S8
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 11.8
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN401R0F5
    • CMN401R0F5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 212
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM15N10U
    • CM15N10U
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 15
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 90
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 120
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2324
    • CM2324
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 1.8
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 250
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 280
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 260
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 310
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3205B
    • CMN3205B
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 105
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3205P
    • CMN3205P
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 105
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6012U
    • CMN6012U
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±25
    • ID(A) 50
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 16
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6075AS9
    • CMN6075AS9
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration single
    • Package SOT-89
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 1.2
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 60
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 75
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 70
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 90
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6075S9
    • CMN6075S9
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-89
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3.5
    • VGS(th) Min 1.2
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 80
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 95
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 90
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 115
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