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    • CMP1080GF5
    • CMP1080GF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5X6
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -15
    • VGS(th) Min -1
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    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 85
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CMN1008LGXF5
    • CMN1008LGXF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 58
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CMN1003GXP
    • CMN1003GXP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 172
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10020GT3
    • CMN10020GT3
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-223
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 6.9
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 22
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 26.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN9006GXP
    • CMN9006GXP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 90
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 105
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN7006GXP
    • CMN7006GXP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 70
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 109
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6002HGP
    • CMN6002HGP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 133
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6002HGF
    • CMN6002HGF
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 62
    • VGS(th) Min 2
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    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CMN6008GF5
    • CMN6008GF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 59
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM16N20D
    • CM16N20D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 200
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 15
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 170
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 204
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM16N20U
    • CM16N20U
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 200
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 15
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 170
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 204
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM05N20U
    • CM05N20U
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 200
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 5
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 590
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 708
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM05N20D
    • CM05N20D
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 200
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 5
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 590
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 708
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP10080GU
    • CMP10080GU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -18.5
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 83
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 120
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM80N10LGF5
    • CM80N10LGF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 80
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM45N10HGU
    • CM45N10HGU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 47
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 15
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 18
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM45N10GU
    • CM45N10GU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 47
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 22
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM15N10AU
    • CM15N10AU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 15
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 90
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 120
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6002GF
    • CMN6002GF
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 77
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM26104
    • CM26104
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23-6L
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3.1
    • VGS(th) Min 1.2
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 68
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 90
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 110
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