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    • CMN4004GWP
    • CMN4004GWP
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 1.3
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.3
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.2
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CMN4004GWB
    • CMN4004GWB
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 1.3
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    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
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    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.2
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CMN6006LGSF3
    • CMN6006LGSF3
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 48
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.2
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6505SZ
    • CMN6505SZ
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-247
    • N/P N
    • VDSS(V) 65
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 70
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6012U
    • CMN6012U
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 50
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 16
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4005SF5
    • CMN4005SF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 96
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.7
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4005SF3
    • CMN4005SF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 57
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.2
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.1
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6008GYS8D
    • CMN6008GYS8D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 9.3
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 14.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 13
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 17
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CMN10080GRD
    • CMN10080GRD
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 16
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 85
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10080GRU
    • CMN10080GRU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 16
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 85
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN15006PGLA
    • CMN15006PGLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 150
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.2
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10008GCF5
    • CMN10008GCF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 87
    • VGS(th) Min 1.2
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.3
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM180N10AGB
    • CM180N10AGB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 228
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM175N10GLB
    • CM175N10GLB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 175
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4005SP
    • CMN4005SP
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 1.3
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN1001R6GLLA
    • CMN1001R6GLLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2N7002DL
    • CM2N7002DL
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 0.3
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1.2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1900
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2200
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
    • 加入对比
    • CMN4005SB
    • CMN4005SB
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 1.3
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD41437TS8
    • CMD41437TS8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N+P
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 8.6
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 19
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD41437TS8
    • CMD41437TS8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N+P
    • VDSS(V) -40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -5.2
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 36
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 44
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 60
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