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产品通用筛选
Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CM20P10GP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -20
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 137
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM170N10GP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220C
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 211
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM60N10AGB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 77
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM60N10GF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) +20/-16
- ID(A) 64
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14.3
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM60N10AGF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 60
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM2326
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 2.6
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 110
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 140
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 160
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 300
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6002GP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 170
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM80N06GU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 70
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN6009F5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 41.5
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN6006S8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 18.6
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.3
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM12N06GS8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 12.8
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6009S8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 11.8
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN401R0F5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 212
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM15N10U
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 15
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 90
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 120
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM2324
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 1.8
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 250
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 280
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 260
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 310
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3205B
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 105
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3205P
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 105
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6012U
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±25
- ID(A) 50
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6075AS9
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration single
- Package SOT-89
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 70
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 90
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6075S9
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-89
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 3.5
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 95
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 90
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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