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产品通用筛选
Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CM2301DT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -3.1
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 90
-
加入对比
-
- CM2622D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 14
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 19
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 18
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 26
-
加入对比
-
- CM04N60AHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2500
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N60AHU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2500
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM16N50BTF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 16
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 370
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 450
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM16N50BTP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 16
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 370
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 450
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3010TF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 44
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD41437TS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 8.6
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 19
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD41437TS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) -40
- VGS(V) ±20
- ID(A) -5.2
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 36
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 44
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R600PS32
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-223-2L
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 6
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 530
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 600
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM10N65TP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 800
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 950
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM10N65TF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 800
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 950
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005IGF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 59
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN30406TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 100
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN30406TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 46
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.1
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM18N50BTF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 330
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM18N50BTP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 330
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN30608TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 74
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN30608TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 41
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD637S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -3.9
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 78
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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