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    • CM2301DT
    • CM2301DT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -3.1
    • VGS(th) Min -0.5
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 70
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 90
    • 加入对比
    • CM2622D
    • CM2622D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 7
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
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    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 19
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 18
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 26
    • 加入对比
    • CM04N60AHD
    • CM04N60AHD
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 600
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2500
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM04N60AHU
    • CM04N60AHU
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 600
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2500
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM16N50BTF
    • CM16N50BTF
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 500
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 16
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 370
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 450
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM16N50BTP
    • CM16N50BTP
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 500
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 16
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 370
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 450
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3010TF3
    • CMN3010TF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 44
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD41437TS8
    • CMD41437TS8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N+P
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 8.6
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 19
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD41437TS8
    • CMD41437TS8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N+P
    • VDSS(V) -40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -5.2
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 36
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 44
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 60
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM65R600PS32
    • CM65R600PS32
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-223-2L
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 6
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 4.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 530
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 600
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM10N65TP
    • CM10N65TP
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 10
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 950
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM10N65TF
    • CM10N65TF
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 10
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 950
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3005IGF3
    • CMN3005IGF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 59
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.7
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.7
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN30406TF5AD
    • CMN30406TF5AD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 100
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.2
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN30406TF5AD
    • CMN30406TF5AD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 46
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.1
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM18N50BTF
    • CM18N50BTF
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 500
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 18
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 270
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 330
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM18N50BTP
    • CM18N50BTP
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 500
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 18
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 270
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 330
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN30608TF5AD
    • CMN30608TF5AD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 74
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN30608TF5AD
    • CMN30608TF5AD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 41
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD637S8
    • CMD637S8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N+P
    • VDSS(V) -60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -3.9
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 78
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
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