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    • CMN3008ASF30
    • CMN3008ASF30
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3030
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 44
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CMD2624
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    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P N+P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.3
    • VGS(th) Min -0.6
    • VGS(th) Max -1.4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
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    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 64
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
    • 加入对比
    • CMD2624
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    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P N+P
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 6
    • VGS(th) Min 0.6
    • VGS(th) Max 1.3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 21
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 27
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 33
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 51
    • 加入对比
    • CMD26325T
    • CMD26325T
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P N+P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -3.4
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1.3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 49
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 59
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 72
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
    • 加入对比
    • CMD26325T
    • CMD26325T
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P N+P
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 4.8
    • VGS(th) Min 0.6
    • VGS(th) Max 1.3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 23
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 35
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 30
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 50
    • 加入对比
    • CM10N65AHB
    • CM10N65AHB
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 10
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 950
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM12N65AHB
    • CM12N65AHB
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 12
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 650
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 800
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN163E0KR
    • CMN163E0KR
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package DFN1006-3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 0.6
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1.1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
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    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 500
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 650
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 600
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 800
    • 加入对比
    • CMD26213TT
    • CMD26213TT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P N+P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.2
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 35
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 44
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 52
    • 加入对比
    • CMD26213TT
    • CMD26213TT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P N+P
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 6.1
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 21
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 20
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 27
    • 加入对比
    • CMN15050GTU
    • CMN15050GTU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 150
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 20
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 60
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6032TS3
    • CMN6032TS3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-223
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 5.7
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 32
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 38
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 36
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 43
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM70R380VU
    • CM70R380VU
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 700
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 10
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 340
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    •  CMN100023GDB
    • CMN100023GDB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 180
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4003LSU
    • CMN4003LSU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 157
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.1
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP3007SD
    • CMP3007SD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -73
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN20010GB
    • CMN20010GB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 200
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 135
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 4.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10.8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP3007SU
    • CMP3007SU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -73
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP2045TF2D
    • CMP2045TF2D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN2x2
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -5
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 46
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 56
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 80
    • 加入对比
    • CM2601DTD
    • CM2601DTD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -2.6
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 100
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