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Plateform
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMN3008ASF30
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3030
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 44
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMD2624
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.3
- VGS(th) Min -0.6
- VGS(th) Max -1.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 52
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 64
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
-
加入对比
-
- CMD2624
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±10
- ID(A) 6
- VGS(th) Min 0.6
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 21
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 27
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 33
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 51
-
加入对比
-
- CMD26325T
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±12
- ID(A) -3.4
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 49
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 59
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 72
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
-
加入对比
-
- CMD26325T
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±12
- ID(A) 4.8
- VGS(th) Min 0.6
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 23
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 35
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 30
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 50
-
加入对比
-
- CM10N65AHB
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 800
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 950
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM12N65AHB
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 12
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 650
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 800
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN163E0KR
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN1006-3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±10
- ID(A) 0.6
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 500
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 650
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 600
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 800
-
加入对比
-
- CMD26213TT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.2
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 35
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 44
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 52
-
加入对比
-
- CMD26213TT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 6.1
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 21
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 27
-
加入对比
-
- CMN15050GTU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 150
- VGS(V) ±20
- ID(A) 20
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6032TS3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-223
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 5.7
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 32
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 36
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 43
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM70R380VU
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 340
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN100023GDB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 180
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4003LSU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 157
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.1
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3007SD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -73
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN20010GB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 200
- VGS(V) ±20
- ID(A) 135
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3007SU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -73
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP2045TF2D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN2x2
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -5
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 46
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 56
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 80
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加入对比
-
- CM2601DTD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -2.6
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 100
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