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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CM2305S
    • CM2305S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.1
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 46
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 65
    • 加入对比
    • CMN4004GWP
    • CMN4004GWP
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 1.3
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.3
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.2
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4004GWB
    • CMN4004GWB
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 1.3
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.3
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.2
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3001SF5
    • CMN3001SF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 216
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.2
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.2
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6006LGSF3
    • CMN6006LGSF3
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 48
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.2
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM70R900D
    • CM70R900D
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 700
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 820
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 900
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM70R900U
    • CM70R900U
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 700
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 820
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 900
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN138KCT
    • CMN138KCT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-523
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 0.3
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1.2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1900
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2500
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
    • 加入对比
    • CM65R380PS32
    • CM65R380PS32
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-223-2L
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 7.9
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 4.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6505SZ
    • CMN6505SZ
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-247
    • N/P N
    • VDSS(V) 65
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 70
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM65R600PF
    • CM65R600PF
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 7.4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 530
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 620
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM65R600PP
    • CM65R600PP
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 7.4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 530
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 620
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2301BT
    • CM2301BT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -3
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 88
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 110
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 150
    • 加入对比
    • CM04N65AHF
    • CM04N65AHF
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2700
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3200
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM04N65AHP
    • CM04N65AHP
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2700
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3200
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3002GPF3
    • CMN3002GPF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 107
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.9
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM07N65AHF
    • CM07N65AHF
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 7
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM07N65AHP
    • CM07N65AHP
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 7
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6010XF3
    • CMN6010XF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 45
    • VGS(th) Min 1.5
    • VGS(th) Max 3.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM05N65CHD
    • CM05N65CHD
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 5
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1900
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2200
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