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Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CM60R180P
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±30
- ID(A) 21
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 180
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM65R180F8
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN8x8
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 21
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 150
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 180
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN1002PGLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL-A
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM20N65AHZ
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-247
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 21.7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 420
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM02N65AHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 2
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4000
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM02N65AHU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 2
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4000
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM10N65AHP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 3
- VGS(th) Max 5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM02N65CHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 2
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5300
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM12N20TU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 200
- VGS(V) ±20
- ID(A) 12
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 220
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 280
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP233155R
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -2.2
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 135
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 165
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 240
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 310
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP9435S
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±10
- ID(A) -5.9
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 36
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 45
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 65
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM3401N
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±12
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -0.7
- VGS(th) Max -1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 85
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 110
-
加入对比
-
- CMP3009TF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -45
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3008F3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -43
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3205B
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 105
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMNBSS138DW
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-363
- N/P N
- VDSS(V) 50
- VGS(V) ±20
- ID(A) 0.34
- VGS(th) Min 0.8
- VGS(th) Max 1.6
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1100
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2500
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1200
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3000
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3008TF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 48
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2050TT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-523
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 2
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 85
-
加入对比
-
- CM65R090B
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 24
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 76
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 90
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD31227SSF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N+P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -18
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 27
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 32.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 35
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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