搜索
搜索
确认
取消
样品申请
招贤纳士
产品中心
PRODUCT CENTER
产品中心
Product Center

产品通用筛选

Plateform
请选择
  • 确定
Package
请选择
  • 确定
N/P
请选择
  • 确定
VDSS(V)
请选择
  • 确定
ID(A)
请选择
    确定
已选
清空筛选
    • 商品图片
    • P/N
    • Plateform
    • Configuration
    • Package
    • N/P
    • VDSS(V)
    • VGS(V)
    • ID(A)
    • VGS(th) Min
    • VGS(th) Max
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • CMPA13ASF2
    • CMPA13ASF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P P
    • VDSS(V) -12
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -18
    • VGS(th) Min -0.5
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 16
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 21
    • 加入对比
    • CMD21825SSF3
    • CMD21825SSF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N+P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -27
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 13
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 16.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 22
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 23
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 30
    • 加入对比
    • CMD21825SSF3
    • CMD21825SSF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N+P
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 26
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 13
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 16.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 18.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 17
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 23
    • 加入对比
    • CM3407S
    • CM3407S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -4
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 60
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 70
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 90
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN2016ESF2
    • CMN2016ESF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 11
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 12.5
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 16.5
    • 加入对比
    • CMN2006SF2
    • CMN2006SF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 17
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 9
    • 加入对比
    • CMN6003GSP
    • CMN6003GSP
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6003GSB
    • CMN6003GSB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3008SF5
    • CMN3008SF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 57
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM07N65AHB
    • CM07N65AHB
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 7
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD30811YTF5
    • CMD30811YTF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -39
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD30811YTF5
    • CMD30811YTF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 45
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD101312RSF5
    • CMD101312RSF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -11
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD101312RSF5
    • CMD101312RSF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 8
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 100
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 120
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 140
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 180
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3005SF3
    • CMN3005SF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 57
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3005SF5
    • CMN3005SF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 66
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM04N65EHD
    • CM04N65EHD
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM04N65EHU
    • CM04N65EHU
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2305S
    • CM2305S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.1
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 46
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 65
    • 加入对比
    • CMN4004GWP
    • CMN4004GWP
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 1.3
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.3
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.2
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
  • 上一页
    1
    2
    16

    搜索您想查找的产品

    搜索
    搜索

    关注我们

    © 2022 Applied Power Microelectronics  |  All Rights Reserved  |  苏ICP备2022001595号