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Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CM2601DTD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -2.6
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 100
-
加入对比
-
- CMN3503GWF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 35
- VGS(V) ±20
- ID(A) 122
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.3
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.3
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN12007LGRF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 120
- VGS(V) ±20
- ID(A) 81
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3002GWF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 132
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM70R1R7KS32
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-223-2L
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1700
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3003GWRF3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 113
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMPBSS84KC
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single+ESD
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -0.2
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4900
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5300
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6900
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6080SU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 15
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 76
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 92
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 92
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 120
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN1001R6GDLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 292
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4002WF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 238
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP2607S
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23-6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4.2
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 43
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 50
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM50R380KD
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 335
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM50R380KU
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 335
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN301R3WF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 213
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6007TU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 83
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN200E0SS9
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-89
- N/P N
- VDSS(V) 200
- VGS(V) ±20
- ID(A) 2
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 470
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 570
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 480
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 625
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN401R0GDLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 294
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GSF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 90
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10006GTD
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 78
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM07N70BHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
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