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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMN6003GSP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GSB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3008SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM07N65AHB
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD30811YTF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -39
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD30811YTF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 45
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD101312RSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD101312RSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 8
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 120
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 180
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005SF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 66
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65EHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65EHU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- AR0562PN
- Family Low Capacitance TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 2-Line
- VRWM(V) 6.5
- VBR Min(V) 7
- Cj Typ(pF) 0.25
- Cj Max 0.5
- Cj Max新 0.5
- VC(V) 25
- IPP Max(A) 5
- IR Max(μA) 0.5
- PPP(W) 125
- Package DFN1210-6
-
加入对比
-
- AR0502S7LV
- Family Low Capacitance TVS
- UNI/BI Uni
- Line Config 2-Line
- VRWM(V) 5
- VBR Min(V) 6
- Cj Typ(pF) 0.5
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 11
- IPP Max(A) 5
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 55
- Package SOT-723
-
加入对比
-
- AR0504S6A
- Family Low Capacitance TVS
- UNI/BI Uni
- Line Config 4-Line
- VRWM(V) 5
- VBR Min(V) 6
- Cj Typ(pF) 0.5
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 14
- IPP Max(A) 5
- IR Max(μA) 0.5
- PPP(W) 70
- Package SOT-563
-
加入对比
-
- AR0511D5
- Family Low Capacitance TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 5
- VBR Min(V) 6
- Cj Typ(pF) 0.2
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 12
- IPP Max(A) 2
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 24
- Package SOD-523
-
加入对比
-
- CM2305S
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.1
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 65
-
加入对比
-
- APO3605A
- VOVLO (V) 6
- CLAMP(V) N/A
- SURG (V) N/A
- IOUT (A) 4
- RON (mΩ) 48
- ILMT (A) N/A
- NTC N/A
- VIN (DC) (V) 32
- VBR (V) 36
- ECO N/A
- Package DFN-2x2-6L
-
加入对比
-
- APL0501ASTA
- RON(mΩ) 150
- IMAX(A) 1.5
- VI_MIN(V) 1.2
- VI_MAX(V) 5.5
- IQ(nA) 119
- ISD(nA) 10
- tR(uS) 140
- tON(uS) 119
- QOD YES
- ReverseProt YES
- Package SOT-23-6L
- Version
-
加入对比
-
- APL0501BNCSA
- RON(mΩ) 48
- IMAX(A) 2.0
- VI_MIN(V) 1.2
- VI_MAX(V) 5.5
- IQ(nA) 119
- ISD(nA) 5.5
- tR(uS) 37
- tON(uS) 42
- QOD NO
- ReverseProt YES
- Package WLCSP-4
- Version
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