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- 商品图片
- P/N
- Family
- UNI/BI
- Line Config
- VRWM(V)
- VBR Min(V)
- Cj Typ(pF)
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V)
- IPP Max(A)
- IR Max(μA)
- PPP(W)
- Package
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- AU1221PX
- Family High Voltage TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 12
- VBR Min(V) 13
- Cj Typ(pF) 7
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 23
- IPP Max(A) 7
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 161
- Package DFN1006-2
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加入对比
-
- AU0521PX
- Family Normal TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 5
- VBR Min(V) 6
- Cj Typ(pF) 13
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 11.5
- IPP Max(A) 7
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 80.5
- Package DFN1006-2
-
加入对比
-
- AU0521P0X
- Family Normal TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 5
- VBR Min(V) 6
- Cj Typ(pF) 13
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 11.5
- IPP Max(A) 7
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 80.5
- Package DFN0603-2
-
加入对比
-
- AR0561P1LV
- Family Low Capacitance TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 5
- VBR Min(V) 6
- Cj Typ(pF) 0.8
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 15
- IPP Max(A) 14
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 210
- Package DFN1006-2
-
加入对比
-
- APO3105ABDNA
- VOVLO (V) 6
- CLAMP(V) NA
- SURG (V) NA
- IOUT (A) 4
- RON (mΩ) 33
- ILMT (A) NA
- NTC NA
- VIN (DC) (V) 30
- VBR (V) 30
- ECO YES
- Package DFN2x2-6
-
加入对比
-
- CM65R360KD
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 360
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP2005TF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -60
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3007SF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 49
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10090TD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 12.2
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 86
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 125
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10090TF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 12
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 86
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 91
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 118
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN100A0GSD
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 155
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN100A0GSU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 155
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4002LSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 150
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65BTF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2000
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2500
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65BTP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2000
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2500
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2310A0GS
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 3
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2610A0GS
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23-6L
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 3
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 90
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM26104
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23-6L
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 3.1
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 68
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 90
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 110
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP4019SU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -40
- VGS(V) ±20
- ID(A) -40
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 24
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3005XU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -76
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8.4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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