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    • AU1221PX
    • AU1221PX
    • Family High Voltage TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 12
    • VBR Min(V) 13
    • Cj Typ(pF) 7
    • Cj Max
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    • VC(V) 23
    • IPP Max(A) 7
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 161
    • Package DFN1006-2
    • 加入对比
    • AU0521PX
    • AU0521PX
    • Family Normal TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 5
    • VBR Min(V) 6
    • Cj Typ(pF) 13
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 11.5
    • IPP Max(A) 7
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 80.5
    • Package DFN1006-2
    • 加入对比
    • AU0521P0X
    • AU0521P0X
    • Family Normal TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 5
    • VBR Min(V) 6
    • Cj Typ(pF) 13
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 11.5
    • IPP Max(A) 7
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 80.5
    • Package DFN0603-2
    • 加入对比
    • AR0561P1LV
    • AR0561P1LV
    • Family Low Capacitance TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 5
    • VBR Min(V) 6
    • Cj Typ(pF) 0.8
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 15
    • IPP Max(A) 14
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 210
    • Package DFN1006-2
    • 加入对比
    • APO3105ABDNA
    • APO3105ABDNA
    • VOVLO (V) 6
    • CLAMP(V) NA
    • SURG (V) NA
    • IOUT (A) 4
    • RON (mΩ) 33
    • ILMT (A) NA
    • NTC NA
    • VIN (DC) (V) 30
    • VBR (V) 30
    • ECO YES
    • Package DFN2x2-6
    • 加入对比
    • CM65R360KD
    • CM65R360KD
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 10
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 360
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP2005TF5
    • CMP2005TF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -60
    • VGS(th) Min -0.5
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3007SF3
    • CMN3007SF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 49
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10090TD
    • CMN10090TD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 12.2
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 86
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 105
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 125
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10090TF3
    • CMN10090TF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 12
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 86
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 105
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 91
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 118
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN100A0GSD
    • CMN100A0GSD
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 11
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 155
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN100A0GSU
    • CMN100A0GSU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 11
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 155
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4002LSF5
    • CMN4002LSF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 150
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM04N65BTF
    • CM04N65BTF
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2000
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2500
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM04N65BTP
    • CM04N65BTP
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2000
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2500
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN2310A0GS
    • CMN2310A0GS
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 120
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 160
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN2610A0GS
    • CMN2610A0GS
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23-6L
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 90
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 120
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 160
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM26104
    • CM26104
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23-6L
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3.1
    • VGS(th) Min 1.2
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 68
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 90
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP4019SU
    • CMP4019SU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P P
    • VDSS(V) -40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -40
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 20
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 24
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP3005XU
    • CMP3005XU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -76
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8.4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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