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Plateform
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Package
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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- CMN3008SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CMD30811YTF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -39
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD30811YTF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 45
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD101312RSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD101312RSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 8
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 120
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 180
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN3005SF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 66
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM2305S
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.1
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 65
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加入对比
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- CMN3001SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 216
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN138KCT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-523
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 0.3
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1900
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2500
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
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加入对比
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- CM2301BT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -3
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 88
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 110
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 110
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 150
-
加入对比
-
- CMN3002GPF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 107
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6010XF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 45
- VGS(th) Min 1.5
- VGS(th) Max 3.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM23A13AS
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -12
- VGS(V) ±10
- ID(A) -7
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 16
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 19
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 22
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 29
-
加入对比
-
- CMN3004XF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 115
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3004XF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 67
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM2321LT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23-3
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -6.5
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 17
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 22
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 22
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN138KCK
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-723
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 0.3
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1900
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2500
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
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加入对比
-
- CMN3003TF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 124
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CMPA13SF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P P
- VDSS(V) -12
- VGS(V) ±10
- ID(A) -17
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 18
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 24
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