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    • CMP6021S8
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    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
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    • VDSS(V) -60
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    • ID(A) -8.2
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    • CMP4031S8
    • CMP4031S8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -40
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    • ID(A) -6.8
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CMN3003GF5
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    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
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    • ID(A) 133
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    • 加入对比
    • CMN3004AF5
    • CMN3004AF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 74
    • VGS(th) Min 1
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CMN3026S8D
    • CMN3026S8D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 5.8
    • VGS(th) Min 1
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3022S8D
    • CMN3022S8D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
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    • ID(A) 7.2
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    • 加入对比
    • CMP3007F3
    • CMP3007F3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -47
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM1601S
    • CM1601S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package DFN1006-3
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
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    • 加入对比
    • CM2305N
    • CM2305N
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
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    • VDSS(V) -20
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    • 加入对比
    • CM2302ANJ
    • CM2302ANJ
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 5.8
    • VGS(th) Min 0.5
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    • 加入对比
    • CM3400NJ
    • CM3400NJ
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
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    • ID(A) 5.3
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    • VGS(th) Max 1.3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 25
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 39
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 51
    • 加入对比
    • CM3401N
    • CM3401N
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -4
    • VGS(th) Min -0.7
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    • 加入对比
    • CM3407N
    • CM3407N
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -4
    • VGS(th) Min -1
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    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP4411AS8
    • CMP4411AS8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -13.7
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
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    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM4407AY
    • CM4407AY
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -12.3
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2342
    • CM2342
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 5
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 31
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 38
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 35
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 52
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP3007F5
    • CMP3007F5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -58
    • VGS(th) Min -1.1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2607
    • CM2607
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single 
    • Package SOT-23-6
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -5
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 50
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 55
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 70
    • 加入对比
    • CM3401P
    • CM3401P
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.1
    • VGS(th) Min -0.6
    • VGS(th) Max -1.4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 60
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 71
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 70
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
    • 加入对比
    • CM1601A
    • CM1601A
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package DFN1006-3
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -0.56
    • VGS(th) Min -0.35
    • VGS(th) Max -1.2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 610
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 850
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