全部分类
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
产品通用筛选
Plateform
请选择
-
确定
Package
请选择
-
确定
N/P
请选择
-
确定
VDSS(V)
请选择
-
确定
ID(A)
请选择
确定
已选
清空筛选
- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMN251R0F5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 25
- VGS(V) ±20
- ID(A) 135
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.35
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM7319S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4.6
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 59
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM7319S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 6.5
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 21
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 29
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 27
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 40
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMQ40P03
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±25
- ID(A) -58
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 16
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMQ40P03
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±25
- ID(A) -38
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 15.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM4407AF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±25
- ID(A) -30
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 15.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM4407
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±25
- ID(A) -12.3
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 16
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3031F2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -9.4
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 19
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 35
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM4435
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -8.5
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 16
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 23
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 22
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 34
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM9435
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -5.3
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 59
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3049S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.8
- VGS(th) Min -0.6
- VGS(th) Max -1.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 52
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 64
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
-
加入对比
-
- CM4953
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4.8
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 59
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM3407
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4.1
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM3401
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.1
- VGS(th) Min -0.6
- VGS(th) Max -1.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 52
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 64
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
-
加入对比
-
- CM2033
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -3.1
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 85
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP2033S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -7.7
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 31
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 33
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 42
-
加入对比
-
- CM2615E
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-23-6
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -4.7
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 39
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 55
-
加入对比
-
- CM3415E
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -4.7
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 36
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 55
-
加入对比
-
- CM2305
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.4
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 35
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 55
-
加入对比
-
- CM3415
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.3
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 41
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 49
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 62
-
加入对比
上一页
1
2
…
4
下一页
