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Plateform
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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- CMP6021S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -8.2
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 19
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 23
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 26
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CMP4031S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -40
- VGS(V) ±20
- ID(A) -6.8
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 28
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 33.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 43.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 57
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3003GF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 133
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.3
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3004AF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 74
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3026S8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 5.8
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 28
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 35
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 41
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 53
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3022S8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 7.2
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 24
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 23
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3007F3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -47
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6.9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM1601S
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN1006-3
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.7
- VGS(th) Min -0.35
- VGS(th) Max -1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 360
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 520
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 570
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 750
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加入对比
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- CM2305N
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 75
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加入对比
-
- CM2302ANJ
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 5.8
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 21
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 27
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 37
-
加入对比
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- CM3400NJ
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±10
- ID(A) 5.3
- VGS(th) Min 0.6
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 28
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 39
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 51
-
加入对比
-
- CM3401N
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±12
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -0.7
- VGS(th) Max -1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 85
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 110
-
加入对比
-
- CM3407N
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 75
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 95
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP4411AS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -13.7
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM4407AY
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -12.3
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM2342
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 5
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 31
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 35
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 52
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3007F5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -58
- VGS(th) Min -1.1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM2607
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23-6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -5
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 70
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加入对比
-
- CM3401P
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.1
- VGS(th) Min -0.6
- VGS(th) Max -1.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 71
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
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加入对比
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- CM1601A
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN1006-3
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.56
- VGS(th) Min -0.35
- VGS(th) Max -1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 610
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 850
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 930
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 1200
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