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Plateform
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMP2301DQ
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -19
- VGS(V) ±10
- ID(A) -3.1
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 54
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 88
-
加入对比
-
- CMN23670N
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 3.2
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 70
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 85
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 100
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3041QS8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -5
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 54
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 51
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP26343Q
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23-6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±10
- ID(A) -5
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 50
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 78
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP2310C3LR
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23-3L
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -1.5
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 325
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 390
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 355
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 444
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2008QF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 14
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 11.6
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 15
-
加入对比
-
- CMN30E0KRDW
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual-ESD
- Package SOT-363
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±10
- ID(A) 0.7
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 480
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 650
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 600
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 800
-
加入对比
-
- CMN3010NF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 35
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 18
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM3407Q
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4.1
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 85
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2004RF9C
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3030
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 25
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 8
-
加入对比
-
- CMP2009RF30
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3030
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -40
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP4033SF30
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3030
- N/P P
- VDSS(V) -40
- VGS(V) ±20
- ID(A) -21
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 32
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 39
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3008SF3D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 42
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3008ASF30
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3030
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 44
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD2624
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.3
- VGS(th) Min -0.6
- VGS(th) Max -1.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 52
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 64
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
-
加入对比
-
- CMD2624
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±10
- ID(A) 6
- VGS(th) Min 0.6
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 21
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 27
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 33
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 51
-
加入对比
-
- CMD26325T
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±12
- ID(A) -3.4
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 49
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 59
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 72
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
-
加入对比
-
- CMD26325T
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±12
- ID(A) 4.8
- VGS(th) Min 0.6
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 23
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 35
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 30
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 50
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加入对比
-
- CMD26213TT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.2
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 35
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 44
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 52
-
加入对比
-
- CMD26213TT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N+P
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 6.1
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 21
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 27
-
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