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    • CMN138KCK
    • CMN138KCK
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-723
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 0.3
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1.2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2500
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
    • 加入对比
    • CMN3003TF5
    • CMN3003TF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 124
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMPA13SF2
    • CMPA13SF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P P
    • VDSS(V) -12
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -17
    • VGS(th) Min -0.5
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 18
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 24
    • 加入对比
    • CMN3008TU
    • CMN3008TU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 70
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8.4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM23A13S
    • CM23A13S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -12
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -5.9
    • VGS(th) Min -0.5
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 20
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 24
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 33
    • 加入对比
    • CMN2018DF2
    • CMN2018DF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2020-6
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 8
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 20
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 18
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 24
    • 加入对比
    • CM2601DTD
    • CM2601DTD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -2.6
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 100
    • 加入对比
    • CMN138KCDW
    • CMN138KCDW
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual-ESD
    • Package SOT-363
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 0.25
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1.2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1900
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
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    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
    • 加入对比
    • CMP4407ATF3
    • CMP4407ATF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -44
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM3400S
    • CM3400S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 5.4
    • VGS(th) Min 0.6
    • VGS(th) Max 1.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 24
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 29
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 26
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 31
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 32
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 42
    • 加入对比
    • CM2302BT
    • CM2302BT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 2.9
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 45
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 60
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 85
    • 加入对比
    • CMN3110LW
    • CMN3110LW
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-323
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 1.2
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1.1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 160
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 192
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 170
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 204
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 180
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 234
    • 加入对比
    • CMN3003TF3N
    • CMN3003TF3N
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 71
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4.6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3006TRF3
    • CMN3006TRF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 56
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6.4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8.3
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM3134B
    • CM3134B
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 0.94
    • VGS(th) Min 0.35
    • VGS(th) Max 1.1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 170
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 250
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 210
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 350
    • 加入对比
    • CM3134BT
    • CM3134BT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-523
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 0.75
    • VGS(th) Min 0.35
    • VGS(th) Max 1.1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 220
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 330
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 300
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 480
    • 加入对比
    • CM2601TD
    • CM2601TD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SOT-23-6
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -2.1
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 90
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 115
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 140
    • 加入对比
    •  CM1623T
    • CM1623T
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package DFN1006-3
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -2
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 155
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 200
    • 加入对比
    • CMN138KCW
    • CMN138KCW
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-323
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 0.3
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1.2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1900
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2200
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
    • 加入对比
    • CMN3008TF3
    • CMN3008TF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 48
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9.3
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
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