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产品通用筛选
Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CM2301DT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -3.1
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 90
-
加入对比
-
- CM2622D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 14
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 19
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 18
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 26
-
加入对比
-
- CMN3010TF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 44
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005IGF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 59
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN30406TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 100
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN30406TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 46
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.1
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN30608TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 74
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN30608TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 41
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM3236W
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-323
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±10
- ID(A) 1.4
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 123
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 147
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 130
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 156
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 143
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 186
-
加入对比
-
- CM2305TW
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 34
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 44
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 64
-
加入对比
-
- CM2312J
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 6.1
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 21
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 27
-
加入对比
-
- CM2302BH
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 3.4
- VGS(th) Min 0.45
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 34.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 45
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 57
-
加入对比
-
- CM1201
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN1.2*1.2-3L
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.5
- VGS(th) Min -0.35
- VGS(th) Max -1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 610
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 850
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 930
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 1200
-
加入对比
-
- CM3134TK
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-723
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 0.8
- VGS(th) Min 0.35
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 250
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 275
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 358
-
加入对比
-
- CM3139TK
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-723
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.5
- VGS(th) Min -0.35
- VGS(th) Max -1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 610
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 850
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 930
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 1200
-
加入对比
-
- CMN3004TRF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 61
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3009TF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -72
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11.4
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3002TF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 145
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2004F3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 50
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 4.2
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 5.5
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加入对比
-
- CMN2002F3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 69
- VGS(th) Min 0.6
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 3
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 3.9
-
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