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    • CMN251R0F5
    • CMN251R0F5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 25
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 135
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.35
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM7319S8
    • CM7319S8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -4.6
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM7319S8
    • CM7319S8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 6.5
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 21
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 29
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 27
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 40
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMQ40P03
    • CMQ40P03
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±25
    • ID(A) -58
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 16
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMQ40P03
    • CMQ40P03
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±25
    • ID(A) -38
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 15.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM4407AF3
    • CM4407AF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±25
    • ID(A) -30
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 15.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM4407
    • CM4407
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±25
    • ID(A) -12.3
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10.2
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 16
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 25
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP3031F2
    • CMP3031F2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -9.4
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 19
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 35
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM4435
    • CM4435
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -8.5
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 16
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 23
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 22
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 34
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM9435
    • CM9435
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -5.3
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 59
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 75
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP3049S8
    • CMP3049S8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.8
    • VGS(th) Min -0.6
    • VGS(th) Max -1.4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 52
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 64
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
    • 加入对比
    • CM4953
    • CM4953
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -4.8
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 59
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 75
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM3407
    • CM3407
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -4.1
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 53
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM3401
    • CM3401
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.1
    • VGS(th) Min -0.6
    • VGS(th) Max -1.4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 52
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 68
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 64
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 96
    • 加入对比
    • CM2033
    • CM2033
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -3.1
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 85
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 85
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP2033S8
    • CMP2033S8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -7.7
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 31
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 33
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 42
    • 加入对比
    • CM2615E
    • CM2615E
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-23-6
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -4.7
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 29
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 39
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 55
    • 加入对比
    • CM3415E
    • CM3415E
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -4.7
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 29
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 36
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 55
    • 加入对比
    • CM2305
    • CM2305
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.4
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 35
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 55
    • 加入对比
    • CM3415
    • CM3415
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.3
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 41
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 49
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