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    • CMPA13ASF2
    • CMPA13ASF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P P
    • VDSS(V) -12
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    • CMD21825SSF3
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    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N+P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -27
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    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 30
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    • CMD21825SSF3
    • CMD21825SSF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N+P
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 26
    • VGS(th) Min 0.4
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    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 18.5
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    • CM3407S
    • CM3407S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -4
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    • CMN2016ESF2
    • CMN2016ESF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 11
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 12.5
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 16.5
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    • CMN2006SF2
    • CMN2006SF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 17
    • VGS(th) Min 0.4
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    • CMN3008SF5
    • CMN3008SF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 57
    • VGS(th) Min 1
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    • CMD30811YTF5
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    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -39
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    • CMD30811YTF5
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    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 45
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    • CMD101312RSF5
    • CMD101312RSF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
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    • ID(A) -11
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMD101312RSF5
    • CMD101312RSF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 8
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 100
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    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 140
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 180
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3005SF3
    • CMN3005SF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 57
    • VGS(th) Min 1
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    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3005SF5
    • CMN3005SF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 66
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
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    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2305S
    • CM2305S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -4.1
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 46
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 65
    • 加入对比
    • CMN3001SF5
    • CMN3001SF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 216
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.2
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.2
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN138KCT
    • CMN138KCT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-523
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 0.3
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1.2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3000
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1900
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2500
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
    • 加入对比
    • CM2301BT
    • CM2301BT
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -3
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 88
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 110
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 150
    • 加入对比
    • CMN3002GPF3
    • CMN3002GPF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 107
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.9
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6010XF3
    • CMN6010XF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 45
    • VGS(th) Min 1.5
    • VGS(th) Max 3.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM23A13AS
    • CM23A13AS
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -12
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -7
    • VGS(th) Min -0.5
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
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