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产品通用筛选
Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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- CM60R180P
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±30
- ID(A) 21
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 180
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM65R180F8
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN8x8
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 21
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 150
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 180
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM20N65AHZ
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-247
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 21.7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 420
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM02N65AHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 2
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4000
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM02N65AHU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 2
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4000
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM10N65AHP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 3
- VGS(th) Max 5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM02N65CHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 2
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5300
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM65R090B
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 24
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 76
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 90
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM65R360KU
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 360
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R280PF
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 250
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 300
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R280PP
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 250
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 300
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM10N50BTF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 480
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 550
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM10N50BTP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 480
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 550
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM07N65AHB
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65EHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65EHU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM70R900D
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 820
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM70R900U
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 820
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R380PS32
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-223-2L
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7.9
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R600PF
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7.4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 530
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 620
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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