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浏览量:
1000
CMN6008GYS8D
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Dual
Package:
SO-8
N/P:
N
VDSS(V):
60
VGS(V):
±20
ID(A):
9.3
VGS(th) Min:
1
VGS(th) Max:
3
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
12
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
14.5
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
13
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
17
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
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CMN4005SF3
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CMN10080GRD
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