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Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMN250A3HGRU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 250
- VGS(V) ±20
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 170
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6007RS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 13.2
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN15060GRF3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 150
- VGS(V) ±20
- ID(A) 15.7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 62
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP4007RF3Q
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P P
- VDSS(V) -40
- VGS(V) ±20
- ID(A) -79.2
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6004GNF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 71
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM3139RK
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-723
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.69
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 365
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 410
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 500
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 680
-
加入对比
-
- CMN2B7KRK
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single+ESD
- Package SOT-723
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 0.71
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 340
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 380
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 490
-
加入对比
-
- CMP3007ARF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -60
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN23235R
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 4.5
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 33
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 42
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 60
-
加入对比
-
- CMN6005GRF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 66
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6.1
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP6027RS8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -6.1
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 27
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 34
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 33
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 43
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6010GNS8D
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3006GNF2
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2020-6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 16
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.9
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GRP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 217
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3012LJF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 16
- VGS(th) Min 0.7
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 17
-
加入对比
-
- CMP26265R
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Singel
- Package SOT-23-6
- N/P N
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -3.4
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 82
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 107
-
加入对比
-
- CMP3043NS8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -5.1
- VGS(th) Min -0.6
- VGS(th) Max -1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 48
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 58
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 81
-
加入对比
-
- CMP3005RS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -17.1
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6.6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP26245KR
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Singel-ESD
- Package SOT-23-6
- N/P N
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -3.9
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 43
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 56
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 64
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 86
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加入对比
-
- CMN10052RF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 15
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 52
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 65
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 56
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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