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产品通用筛选
Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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清空筛选
- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CM10N80GF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 800
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 3
- VGS(th) Max 5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 660
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM2N72KYDT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual-ESD
- Package SOT-563
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 0.29
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1900
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2500
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2000
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3000
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3022ARF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 22
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 27
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 31
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 40
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6035RF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 14
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 30
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 41
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 53
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4005GRF5D
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN5*6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 56.5
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP2607AN
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23-6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 38
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 56
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2B7KRDT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual+ESD
- Package SOT-363
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 1
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 340
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 370
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 465
-
加入对比
-
- CMN23680R
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 3
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 75
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 110
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD32250RRF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN2020
- N/P N+P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4.1
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 53
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 70
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 100
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD32250RRF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN2020
- N/P N+P
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 6.2
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 21
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP6020GNF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -42
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 19
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 32
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2016KRF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 13
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 17
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 18
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 23
-
加入对比
-
- CMP4027RF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P P
- VDSS(V) -40
- VGS(V) ±20
- ID(A) -22.3
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 27
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 33
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 36
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 45
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD2A2C6KRDW
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual-ESD
- Package SOT-363
- N/P N+P
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 1.1
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 130
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 165
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 190
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 250
-
加入对比
-
- CMD2A2C6KRDW
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual-ESD
- Package SOT-363
- N/P N+P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.7
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 350
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 440
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 510
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 670
-
加入对比
-
- CMN3005RF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 56
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN8003GTLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 80
- VGS(V) ±20
- ID(A) 213
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10003HGRP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 161
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3013NS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOP8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 18
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 24
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CMP2A1RF16
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN1006-3
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -2.2
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 107
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 135
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 185
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