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Plateform
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Package
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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- CM65R360KB
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11.9
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 360
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM60R580KMU
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±25
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 510
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 580
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM70R360KU
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 12
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 330
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 360
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R070KFMLB
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package TOLL-B
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±25
- ID(A) 38
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 62
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 70
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMS080R220BFT
- Plateform SIC MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 800
- VGS(V) -8/+20
- ID(A) 16.1
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 180
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 220
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMS080R160BFT
- Plateform SIC MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 800
- VGS(V) -8/+20
- ID(A) 19.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM12N65Z1F
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 12
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 600
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 800
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM12N65Z1P
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 12
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 600
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 800
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM60R600KMS32
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-223-2L
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±25
- ID(A) 6.7
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 500
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 600
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM10N80GF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 800
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 3
- VGS(th) Max 5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 660
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM90R1R4KS32
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-223-2L
- N/P N
- VDSS(V) 900
- VGS(V) ±30
- ID(A) 5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM60R650KMB
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±25
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 3
- VGS(th) Max 5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 650
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 720
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM07N50QF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 8.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 680
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 810
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM07N50QP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 8.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 680
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 810
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM18N20TF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 200
- VGS(V) ±20
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM18N20TP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 200
- VGS(V) ±20
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R095TF
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 36.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 82
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 95
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R095TP
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 36.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 82
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 95
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM10N80GP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 800
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 3
- VGS(th) Max 5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 660
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM60R850D
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 750
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 850
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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