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Plateform
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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- CM60R650KMB
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±25
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 3
- VGS(th) Max 5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 650
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 720
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM07N50QF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 8.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 680
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 810
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM07N50QP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 8.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 680
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 810
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM18N20TF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 200
- VGS(V) ±20
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM18N20TP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 200
- VGS(V) ±20
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM65R095TF
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 36.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 82
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 95
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R095TP
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 36.5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 82
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 95
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM10N80GP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 800
- VGS(V) ±30
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 3
- VGS(th) Max 5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 660
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM60R850D
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 750
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 850
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM60R850U
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 750
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 850
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM60R095F8
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN8x8
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±30
- ID(A) 33
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 98
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CM65R160RF
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 24
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 149
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R160RP
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 24
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 149
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 160
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R150RF
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 25
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 130
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 156
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM65R150RP
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 25
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 130
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 156
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM70R170P
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 22
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 145
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 170
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM10N65AHB
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 800
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 950
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM12N65AHB
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 12
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 650
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 800
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CM70R380VU
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 340
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM70R1R7KS32
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-223-2L
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1700
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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