全部分类
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
产品通用筛选
Plateform
请选择
-
确定
Package
请选择
-
确定
N/P
请选择
-
确定
VDSS(V)
请选择
-
确定
ID(A)
请选择
确定
已选
清空筛选
- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMN15B5LRS3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-223
- N/P N
- VDSS(V) 150
- VGS(V) ±20
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.6
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 250
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 300
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 350
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4007GRF3D
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 30
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4002GNP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 160
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN8507LGRS8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 85
- VGS(V) ±20
- ID(A) 11.4
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10004LGNF
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 63
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4004HGRU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 82
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP10085RP
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -19
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10004LGNP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 135
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP6085GRS3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-223
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4.3
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 110
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 140
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN12007LGRLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 120
- VGS(V) ±20
- ID(A) 122
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10012GRF5D
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 59
- VGS(th) Min 1.0
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 14
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 15
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 19
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4005GNF3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3*3.3
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 62
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN26210RD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6L
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 9.1
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 13
-
加入对比
-
- CMPBSS84KCDW
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual+ESD
- Package SOT-363
- N/P P
- VDSS(V) -50
- VGS(V) ±20
- ID(A) -0.18
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4600
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5500
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5300
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6900
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GRB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 160
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4004HGRF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 72
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 3.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10080GRS9
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-89
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 10
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP15095GNU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -150
- VGS(V) ±20
- ID(A) -25
- VGS(th) Min -1.5
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 135
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 105
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 155
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP6081GRU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -13.8
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 104
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 104
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 135
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10005GRF
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 56
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
上一页
1
2
…
10
下一页
