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Plateform
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VDSS(V)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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- CMN250A3HGRU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 250
- VGS(V) ±20
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 170
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN6007RS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 13.2
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN15060GRF3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 150
- VGS(V) ±20
- ID(A) 15.7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 62
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6004GNF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 71
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6005GRF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 66
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6.1
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GRP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 217
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN8507LGRF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 85
- VGS(V) ±20
- ID(A) 73
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4007GRF5DQ
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 51.6
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CMN1001R6GRLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 331
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CMN10002HGRZ
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-247
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 282
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10008GTU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 76
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN15025HGRU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 150
- VGS(V) ±20
- ID(A) 43
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10008LGRU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 80
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4004RP
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 186
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP6060RD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -17
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 68
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 90
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP6060RU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -17
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 60
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 75
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 68
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 90
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10005GRF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 92
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN26330RD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SOT-23-6L
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 4.5
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 36
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP100A5RD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -14
- VGS(th) Min -1.5
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 145
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 188
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 165
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 214
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CMP100A5RU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -14
- VGS(th) Min -1.5
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 145
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 188
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 165
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 214
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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