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Plateform
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMN15B5LRS3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-223
- N/P N
- VDSS(V) 150
- VGS(V) ±20
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.6
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 250
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 300
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 350
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CMN23238Q
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 4.2
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 36
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 65
-
加入对比
-
- CMN2B7KRF086D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual+ESD
- Package DFN0806-6L
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 0.7
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 350
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 390
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 510
-
加入对比
-
- CMP3031RF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -6.1
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 30
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 47
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 62
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3006GNF3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 63
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4007GRF3D
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 30
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP2C6KRF1D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual-ESD
- Package DFN1010-6
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.62
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 350
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 450
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 470
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 640
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加入对比
-
- CMP3009TF5D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -45
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3011RF30D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN3030
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -29
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 19.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4002GNP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 160
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP23263R
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -3.4
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 61
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 77
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 82
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 102
-
加入对比
-
- CMN6010LGRS8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 10.6
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 14
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 13
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 19
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN8507LGRS8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 85
- VGS(V) ±20
- ID(A) 11.4
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3006RF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 46
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10004LGNF
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 63
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4004HGRU
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 82
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP10085RP
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -19
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10004LGNP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 135
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP6085GRS3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-223
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4.3
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 85
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 110
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 140
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CMN3134RT
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-523
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 1.1
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 145
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 180
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 230
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