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浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Dual-ESD
Package:
DFN1010-6
N/P:
P
VDSS(V):
-20
VGS(V):
±10
ID(A):
-0.62
VGS(th) Min:
-0.4
VGS(th) Max:
-1
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
350
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
450
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
470
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
640
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CMN3006GNF3
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CMP3009TF5D
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