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浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Single-ESD
Package:
DFN1006-3
N/P:
P
VDSS(V):
-50
VGS(V):
±20
ID(A):
-0.2
VGS(th) Min:
-1.2
VGS(th) Max:
-2.5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
4000
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
5000
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
5000
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
6900
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
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