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浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Single-ESD
Package:
DFN1006-3
N/P:
P
VDSS(V):
-20
VGS(V):
±10
ID(A):
-1
VGS(th) Min:
-0.4
VGS(th) Max:
-1
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
345
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
420
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
470
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
650
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