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浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Single-ESD
Package:
DFN1006-3
N/P:
N
VDSS(V):
30
VGS(V):
±8
ID(A):
1.6
VGS(th) Min:
0.4
VGS(th) Max:
1.1
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
130
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
160
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
140
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
190
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
160
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
215
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