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    • CMN4002WF5
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    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 238
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.1
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.2
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN301R3WF5
    • CMN301R3WF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 213
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2.6
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN301R3LWF5
    • CMN301R3LWF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 213
    • VGS(th) Min 0.7
    • VGS(th) Max 1.4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1.6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2.1
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 7
    • 加入对比
    • CMN3003GWRF3
    • CMN3003GWRF3
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 113
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.7
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.6
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP2015KWF2
    • CMP2015KWF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package DFN2x2
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -14.8
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 20
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 20
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 26
    • 加入对比
    • CMN3012WF2
    • CMN3012WF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 15
    • VGS(th) Min 0.7
    • VGS(th) Max 1.3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 17
    • 加入对比
    • CMN3012KWF2
    • CMN3012KWF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package DFN2x2
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 12
    • VGS(th) Min 0.7
    • VGS(th) Max 1.3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 14.5
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 20
    • 加入对比
    • CMN2007KWF6C
    • CMN2007KWF6C
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual-ESD
    • Package DFN2x3
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 10.2
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.2
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 8.4
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 11
    • 加入对比
    • CMN2007KWF2
    • CMN2007KWF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package DFN2x2
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 15
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 10
    • 加入对比
    • CMN3006EU
    • CMN3006EU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 86
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3006EF5
    • CMN3006EF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 66
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10038CF5
    • CMN10038CF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5060
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 25
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 30
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 38
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 32
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 40
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4012RS9
    • CMN4012RS9
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-89
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 23.6
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 20
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 26
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3134RK
    • CMN3134RK
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package SOT-723
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) 1.07
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 120
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 145
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 170
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 220
    • 加入对比
    • CMP3050RS8
    • CMP3050RS8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -5.3
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 65
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 70
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 100
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10018HGRS8
    • CMN10018HGRS8
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 8.4
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 18
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 22
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP10036GRF5
    • CMP10036GRF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5X6
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -31
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 35
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 47
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 45
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 59
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP3021RS8
    • CMP3021RS8
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -8
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 21
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 25
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 32
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4013RS8D
    • CMN4013RS8D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 9
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 20
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 26
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM60R580KMU
    • CM60R580KMU
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 600
    • VGS(V) ±25
    • ID(A) 7
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 4.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 510
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 580
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