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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMN4002WF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 238
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN301R3WF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 213
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN301R3LWF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 213
- VGS(th) Min 0.7
- VGS(th) Max 1.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1.6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 7
-
加入对比
-
- CMN3003GWRF3
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 113
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP2015KWF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN2x2
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -14.8
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 20
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 26
-
加入对比
-
- CMN3012WF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±12
- ID(A) 15
- VGS(th) Min 0.7
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 17
-
加入对比
-
- CMN3012KWF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±12
- ID(A) 12
- VGS(th) Min 0.7
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 14.5
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 20
-
加入对比
-
- CMN2007KWF6C
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual-ESD
- Package DFN2x3
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 10.2
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 8.4
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 11
-
加入对比
-
- CMN2007KWF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 15
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 10
-
加入对比
-
- CMN3006EU
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 86
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3006EF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 66
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10038CF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5060
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 25
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 30
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 32
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 40
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4012RS9
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-89
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 23.6
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 26
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3134RK
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-723
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 1.07
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 120
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 145
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 170
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 220
-
加入对比
-
- CMP3050RS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -5.3
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 65
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 70
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 100
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10018HGRS8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 8.4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 18
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 22
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP10036GRF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN5X6
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -31
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 35
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 47
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 59
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP3021RS8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -8
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 21
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 25
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 32
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 42
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CMN4013RS8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 9
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 14
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 26
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CM60R580KMU
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 600
- VGS(V) ±25
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2.5
- VGS(th) Max 4.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 510
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 580
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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