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浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Dual
Package:
SO-8
N/P:
N+P
VDSS(V):
-40
VGS(V):
±20
ID(A):
-5.2
VGS(th) Min:
-1
VGS(th) Max:
-2.5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
36
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
44
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
40
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
60
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
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