全部分类
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Dual
Package:
SO-8
N/P:
N+P
VDSS(V):
60
VGS(V):
±20
ID(A):
6.3
VGS(th) Min:
1.2
VGS(th) Max:
2.5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
25
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
30
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
29
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
37
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
上一个
CMD637S8
下一个
CMN6003GLA
相关下载
上一页
1
下一页
