全部分类
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Single-ESD
Package:
DFN1006-3
N/P:
N
VDSS(V):
20
VGS(V):
±10
ID(A):
0.9
VGS(th) Min:
0.35
VGS(th) Max:
1.1
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
190
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
250
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
270
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
350
上一个
CM163240L
下一个
无
相关下载
上一页
1
下一页
