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浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Single-ESD
Package:
DFN1006-3-T
N/P:
N
VDSS(V):
20
VGS(V):
±10
ID(A):
0.9
VGS(th) Min:
0.35
VGS(th) Max:
1.1
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
170
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
250
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
225
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
350
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