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    • AR2421P0SW
    • AR2421P0SW
    • Family Low Capacitance TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 24
    • VBR Min(V) 25
    • Cj Typ(pF) 0.22
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 7
    • IPP Max(A) 4.5
    • IR Max(μA) 0.5
    • PPP(W) 31.5
    • Package DFN0603-2
    • 加入对比
    • AR1821P0SW
    • AR1821P0SW
    • Family Low Capacitance TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 18
    • VBR Min(V) 18.5
    • Cj Typ(pF) 0.22
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 7
    • IPP Max(A) 4.5
    • IR Max(μA) 0.5
    • PPP(W) 31.5
    • Package DFN0603-2
    • 加入对比
    • AU1611P0LV
    • AU1611P0LV
    • Family High Voltage TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 16
    • VBR Min(V) 16.2
    • Cj Typ(pF) 2.5
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 22
    • IPP Max(A) 1.5
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 33
    • Package DFN0603-2
    • 加入对比
    • AU3321P1B
    • AU3321P1B
    • Family Low Voltage TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 3.3
    • VBR Min(V) 3.5
    • Cj Typ(pF) 18
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 10
    • IPP Max(A) 10
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 100
    • Package DFN1006-2
    • 加入对比
    • AR3364P5LV
    • AR3364P5LV
    • Family Low Capacitance TVS
    • UNI/BI Uni
    • Line Config 4-Line
    • VRWM(V) 3.3
    • VBR Min(V) 3.5
    • Cj Typ(pF) 0.25
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 15
    • IPP Max(A) 5
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 75
    • Package DFN2510-10
    • 加入对比
    • AR1521P1SC
    • AR1521P1SC
    • Family Low Capacitance TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 15.0
    • VBR Min(V) 3.5
    • Cj Typ(pF) 0.3
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 6
    • IPP Max(A) 6
    • IR Max(μA) 0.1
    • PPP(W) 36
    • Package DFN1006-2
    • 加入对比
    • AU0505S3
    • AU0505S3
    • Family Normal TVS
    • UNI/BI Uni
    • Line Config 5-Line
    • VRWM(V) 5.0
    • VBR Min(V) 6.0
    • Cj Typ(pF) 18
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 13
    • IPP Max(A) 2.5
    • IR Max(μA) 0.5
    • PPP(W) 32.5
    • Package SOT-363
    • 加入对比
    • AR1221P0SW
    • AR1221P0SW
    • Family Low Capacitance TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 12.0
    • VBR Min(V) 13
    • Cj Typ(pF) 0.25
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 7
    • IPP Max(A) 4.5
    • IR Max(μA) 0.5
    • PPP(W) 31.5
    • Package DFN0603-2
    • 加入对比
    • APO3605AHDNA
    • APO3605AHDNA
    • VOVLO (V) 7
    • CLAMP(V) N/A
    • SURG (V) N/A
    • IOUT (A) 4
    • RON (mΩ) 40
    • ILMT (A) N/A
    • NTC N/A
    • VIN (DC) (V) 33
    • VBR (V) 33
    • ECO N/A
    • Package DFN2x2-6
    • 加入对比
    • CMN15050GTF30
    • CMN15050GTF30
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3030
    • N/P N
    • VDSS(V) 150
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 17
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 47
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 57
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10018GRU
    • CMN10018GRU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 30
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 20
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 24
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 26
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 34
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN20009GNF
    • CMN20009GNF
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 200
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 42
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM60R095F8
    • CM60R095F8
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN8x8
    • N/P N
    • VDSS(V) 600
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 33
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 80
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 98
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10008GTF3
    • CMN10008GTF3
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 50
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP2301DQ
    • CMP2301DQ
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -19
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -3.1
    • VGS(th) Min -0.5
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 54
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 68
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 88
    • 加入对比
    • CMN23670N
    • CMN23670N
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3.2
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 70
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 85
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 100
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP3041QS8D
    • CMP3041QS8D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -5
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 54
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 51
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP26343Q
    • CMP26343Q
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23-6
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -5
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 40
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 50
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 60
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 78
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    •   CMN10094GNU
    • CMN10094GNU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 10
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 92
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 120
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 118
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 155
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP2310C3LR
    • CMP2310C3LR
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23-3L
    • N/P P
    • VDSS(V) -100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -1.5
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 325
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 390
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 355
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 444
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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