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    • AU2471P6H
    • AU2471P6H
    • Family Surge Protection TVS
    • UNI/BI Uni
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 24
    • VBR Min(V) 26.5
    • Cj Typ(pF) 200
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 36
    • IPP Max(A) 96
    • IR Max(μA) 1
    • PPP(W) 3456
    • Package DFN1610-2
    • 加入对比
    • AU2071P6H
    • AU2071P6H
    • Family Surge Protection TVS
    • UNI/BI Uni
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 20
    • VBR Min(V) 22
    • Cj Typ(pF) 230
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 35
    • IPP Max(A) 126
    • IR Max(μA) 1
    • PPP(W) 4410
    • Package DFN1610-2
    • 加入对比
    • AU4581P1Y
    • AU4581P1Y
    • Family Normal TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 4.5
    • VBR Min(V) 4.8
    • Cj Typ(pF) 70
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 11
    • IPP Max(A) 35
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 385
    • Package DFN1006-2
    • 加入对比
    • ASM24CQ
    • ASM24CQ
    • Family High Voltage TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 2-Line
    • VRWM(V) 24
    • VBR Min(V) 27
    • Cj Typ(pF) 15
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 50
    • IPP Max(A) 4
    • IR Max(μA) 0.5
    • PPP(W) 200
    • Package SOT-23
    • 加入对比
    • CMN8004GTLA
    • CMN8004GTLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 85
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 144
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP2005SRF3
    • CMP2005SRF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) -60
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3004GLF2
    • CMN3004GLF2
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN2x2
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 18.2
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.1
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.3
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP4953S
    • CMP4953S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -5.3
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 37
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 45
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 50
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 65
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4005XU
    • CMN4005XU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 87
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN2003CF5
    • CMN2003CF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 20
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 79
    • VGS(th) Min 0.4
    • VGS(th) Max 1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 3.5
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4.6
    • 加入对比
    • CMN10008GSF5
    • CMN10008GSF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 47
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15.6
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM1638KC
    • CM1638KC
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single-ESD
    • Package DFN1006-3
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 0.3
    • VGS(th) Min 0.5
    • VGS(th) Max 1.2
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1800
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3100
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2000
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3400
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 2500
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 4500
    • 加入对比
    • CM65R360KS3
    • CM65R360KS3
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-223
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 8
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 4.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 335
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM65R380PF
    • CM65R380PF
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220F
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 9.5
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 4.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 318
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM65R380PP
    • CM65R380PP
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 650
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 9.5
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 4.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 318
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10007GTF5
    • CMN10007GTF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 82
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10003XGB
    • CMN10003XGB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 180
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10003XGLA
    • CMN10003XGLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 175
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3010SS8D
    • CMN3010SS8D
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Dual
    • Package SO-8
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 10.2
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 13
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 18
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN3022XS9
    • CMN3022XS9
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-89
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±12
    • ID(A) 6.8
    • VGS(th) Min 0.7
    • VGS(th) Max 1.3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 24
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 29
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 26
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 31
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 32
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 42
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