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    • Package
    • AR3344P5SC
    • AR3344P5SC
    • Family Low Capacitance TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 4-Line
    • VRWM(V) 3.3
    • VBR Min(V) 3.5
    • Cj Typ(pF) 0.25
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 7
    • IPP Max(A) 5
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 35
    • Package DFN2510-10
    • 加入对比
    • AR0821P1LV
    • AR0821P1LV
    • Family Low Capacitance TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 8.0
    • VBR Min(V) 9.7
    • Cj Typ(pF) 0.3
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 18
    • IPP Max(A) 3
    • IR Max(μA) 0.5
    • PPP(W) 54
    • Package DFN1006-2
    • 加入对比
    • AU1221P0X
    • AU1221P0X
    • Family High Voltage TVS
    • UNI/BI Bi
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 12
    • VBR Min(V) 13
    • Cj Typ(pF) 7
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 23
    • IPP Max(A) 7
    • IR Max(μA) 0.2
    • PPP(W) 161
    • Package DFN0603-2
    • 加入对比
    • AU3001P4-3X
    • AU3001P4-3X
    • Family High Voltage TVS
    • UNI/BI Uni
    • Line Config 1-Line
    • VRWM(V) 30
    • VBR Min(V) 30.5
    • Cj Typ(pF) 600
    • Cj Max
    • Cj Max新
    • VC(V) 36
    • IPP Max(A) 180
    • IR Max(μA) 1
    • PPP(W) 6300
    • Package DFN2020-3
    • 加入对比
    • CMPBSS84KC
    • CMPBSS84KC
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single+ESD
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -0.2
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4900
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5900
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5300
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6900
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6080SU
    • CMN6080SU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 15
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 76
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 92
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 92
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 120
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN1001R6GDLA
    • CMN1001R6GDLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 292
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.2
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4002WF5
    • CMN4002WF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 238
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.1
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.4
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3.2
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP2607S
    • CMP2607S
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23-6
    • N/P P
    • VDSS(V) -30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -4.2
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 43
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 50
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 70
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM50R380KD
    • CM50R380KD
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 500
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 11
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 335
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM50R380KU
    • CM50R380KU
    • Plateform SJ MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 500
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 11
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 335
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 380
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN301R3WF5
    • CMN301R3WF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 30
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 213
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.7
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2.6
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6007TU
    • CMN6007TU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 83
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.9
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN200E0SS9
    • CMN200E0SS9
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-89
    • N/P N
    • VDSS(V) 200
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 2
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 470
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 570
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 480
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 625
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN401R0GDLA
    • CMN401R0GDLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 294
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.2
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1.5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN6003GSF5
    • CMN6003GSF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 90
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10006GTD
    • CMN10006GTD
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 78
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM07N70BHD
    • CM07N70BHD
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 700
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 7
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM07N70BHU
    • CM07N70BHU
    • Plateform Planar MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 700
    • VGS(V) ±30
    • ID(A) 7
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CM2301BS
    • CM2301BS
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P P
    • VDSS(V) -20
    • VGS(V) ±10
    • ID(A) -3.3
    • VGS(th) Min -0.4
    • VGS(th) Max -1
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 58
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 73
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 80
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 104
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