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浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Dual
Package:
SO-8
N/P:
P
VDSS(V):
-30
VGS(V):
±10
ID(A):
-4.8
VGS(th) Min:
-0.6
VGS(th) Max:
-1.4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
40
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
55
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
52
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
68
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
64
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
96
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